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[发明专利]磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201410171588.7在审
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;吴剑波 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中，磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，所述内环侧壁具有凸台结构。应用本发明的磁控溅射环可以提高磁控溅射环被溅射的时间，从而减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料以颗粒形式掉落至基板上，进而提高基片成膜质量。另外，本发明的磁控溅射环的使用寿命高。
磁控溅射装置反应器

[实用新型]磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201220750453.2有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所说膜层具有图案。应用本实用新型的磁控溅射环装置可以减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料原子掉落至基板上，从而影响基片成膜质量。另外，提高磁控溅射环的使用寿命。
磁控溅射装置反应器

[实用新型]磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201220750585.5有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所述膜层上具有喷砂图案。应用本实用新型的磁控溅射环装置可以减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料原子掉落至基板上，从而影响基片成膜质量。另外，提高磁控溅射环的使用寿命。
磁控溅射装置反应器

[实用新型]一种磁控溅射靶屏蔽装置-CN201520298266.9有效
发明人：郁哲;孟彬;孔明;吴健;张益欣;周海铭;梁小龙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射屏蔽装置，属于高真空磁控溅射镀膜领域。本实用新型所述磁控溅射靶屏蔽罩包括磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶屏蔽垫圈，磁控溅射靶屏蔽罩安装在铜冷却板的侧壁上，磁控溅射靶屏蔽垫圈放置在磁控溅射靶屏蔽罩上，开口对准沉积基片；磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽罩、磁控溅射靶与磁控溅射靶屏蔽垫圈之间上下的距离均为2-3mm，磁控溅射靶屏蔽垫圈的外孔直径与磁控溅射靶屏蔽罩开孔大小一致，内直径为25~50mm。
一种磁控溅射屏蔽装置

[实用新型]一种可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置-CN202320023923.3有效
发明人：张晓军;朱新华;胡小波 -专利权人：深圳市矩阵多元科技有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置，包括：壳体，具有内腔；基板组件，设于内腔且与壳体顶部连接；第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件，设于内腔且与壳体底部连接，平行于基板组件设置，且第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件位于同一水平线上，第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件的磁力大小相同，磁极相反；监控组件，设于内腔且与壳体侧壁连接，位于第一磁控溅射组件/第二磁控溅射组件和基板组件之间，且位于第一磁控溅射组件和第二磁控溅射组件的中心且垂直于基板组件的平面上本实用新型实施例的可监控薄膜晶粒生长的磁控溅射装置，能够在磁控溅射过程中监控薄膜晶粒生长状态，且不会改变电子轨迹，分析效率高。
一种监控薄膜晶粒生长磁控溅射装置

[实用新型]磁控溅射镀膜工艺室-CN202222989956.1有效
发明人：李茂;王豪奇;李建华 -专利权人：浙江生波智能装备有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种磁控溅射镀膜工艺室，其磁控溅射源包括第一磁控溅射源、第二磁控溅射源、第三磁控溅射源和第四磁控溅射源，其中，第一磁控溅射源和第二磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室左侧，用于在柔性PI基材背面的Cu过渡层上形成Cu功能层；第三磁控溅射源和第四磁控溅射源位于磁控溅射镀膜工艺室右侧，用于在柔性PI基材正面的Cu过渡层上形成Cu功能层。本实用新型实施例，在柔性PI基材的正反面各配置两个磁控溅射源，可双面同时一次完成镀膜，减少往复卷绕导致的良率以及效率的损失。同时，为能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的保障。
磁控溅射镀膜工艺

[实用新型]磁控溅射靶材-CN201220226070.5有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;钟伟华 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射靶材，所述磁控溅射靶材具有溅射面，与现有平面结构型溅射面不同的是，所述溅射面具有磁场强度设计轮廓，即磁控溅射靶材在不同位置的厚度是按照磁场的强弱来设计的，磁控溅射靶材在磁场强的位置的厚度较大、在磁场弱的位置的厚度较小，使得溅射后期磁控溅射靶材的溅射面更加平整，从而使得溅射参数保持稳定，增加了磁控溅射靶材的寿命；进一步地，磁控溅射靶材的溅射面向磁控溅射靶材的中心凹陷，以使溅射时靶材原子能够充分向中心聚集，减少了靶材原子向被镀膜工件外的区域溅射，提高了磁控溅射靶材的使用效率，从而进一步增加了磁控溅射靶材的寿命。
磁控溅射

[发明专利]一种对置靶座磁控溅射装置-CN201711477439.3在审
发明人：顾骏;顾为民;任高潮;金浩;王德苗;冯斌 -专利权人：苏州求是真空电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种对置靶座磁控溅射装置，包括磁控溅射靶座、磁控溅射基台座、夹持压片和挡板组件；所述磁控溅射靶座安装在真空室上方；所述磁控溅射基台座安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座之间具有夹角，所述夹角为锐角；所述夹持压片设于磁控溅射基台座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；所述挡板组件包括多个挡板，其中一个挡板设于磁控溅射基台座的上方，其余的挡板分别设于对应的磁控溅射靶座下方，用于隔开磁控溅射各个靶座和磁控溅射基台座
一种置靶座磁控溅射装置

[实用新型]一种对置靶座磁控溅射装置-CN201721899340.8有效
发明人：顾骏;顾为民;任高潮;金浩;王德苗;冯斌 -专利权人：苏州求是真空电子有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种对置靶座磁控溅射装置，包括磁控溅射靶座、磁控溅射基台座、夹持压片和挡板组件；所述磁控溅射靶座安装在真空室上方；所述磁控溅射基台座安装在真空室下方，其与所述磁控溅射靶座之间具有夹角，所述夹角为锐角；所述夹持压片设于磁控溅射基台座的顶表面，用于夹持固定待溅射基片；所述挡板组件包括多个挡板，其中一个挡板设于磁控溅射基台座的上方，其余的挡板分别设于对应的磁控溅射靶座下方，用于隔开磁控溅射各个靶座和磁控溅射基台座
磁控溅射基台座磁控溅射靶挡板靶座磁控溅射装置本实用新型挡板组件真空室对置夹持压片等离子清洗基片材料夹持固定顶表面夹角为隔开减小溅射锐角轰击

[实用新型]一种磁控溅射靶罩-CN201320172332.9有效
发明人：孟彬;孔明;刘肖肖;徐定能 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射靶罩，属于高真空磁控溅射镀膜领域。在磁控溅射靶上安装有可调节高度的磁控溅射靶罩，磁控溅射靶罩的上端开口，开口端对准沉积基片。磁控溅射靶和沉积基片放置在溅射室内，溅射室上有可以观察溅射情况的观察窗。磁控溅射靶罩通过螺纹与磁控溅射靶连接，磁控溅射靶罩的上端与沉积基片始终保持1～2mm的距离，以便观察溅射时能否起辉。该靶材罩能够将靶材和基片之间的空间区域封闭起来，并有效阻断沉积粒子向溅射室内壁和观察窗的沉积，降低溅射室和观察窗的污染。
一种磁控溅射

[实用新型]磁控溅射靶材及磁控溅射装置-CN201420207868.4有效
发明人：李晨光 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁控溅射靶材及磁控溅射装置。该磁控溅射靶材的厚度与其所在磁场的磁场强度正相关。在本公开所提供的磁控溅射靶材以及磁控溅射装置中，使磁控溅射靶材的厚度从中部到两侧逐渐减小，这样则可以使得磁控溅射靶材各区域的厚度与其所在磁场的磁场强度正相关；因此，磁控溅射靶材的各个区域刻蚀尽所用的时间相对一致，避免出现由于部分区域的靶材未利用而导致磁控溅射靶材利用率降低。因此，通过本公开，可以避免磁控溅射靶材的浪费，提高磁控溅射靶材的利用率。
磁控溅射装置

[发明专利]一种低残余应力的铜薄膜制备方法-CN201210384082.5无效
发明人：唐武;王学慧 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。
一种残余应力薄膜制备方法

[实用新型]磁控溅射环装置及磁控溅射反应器-CN201420575596.3有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;吴剑波;喻洁 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射环装置和磁控溅射反应器，其中，磁控溅射环装置包括：安装于磁控溅射腔室侧壁上，所述磁控溅射腔室侧壁具有定位销套，所述磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，所述磁控溅射环包括内环侧壁和与所述内环侧壁相对的外环侧壁，所述外环侧壁具有凹槽；定位销，一端与凹槽底部连接，另一端套设在定位销套中，其特征在于，所述内环侧壁与所述定位销套距离不变，所述磁控溅射环的外环侧壁与所述定位销套之间的距离为大于0.01毫米且小于6毫米本实用新型的磁控溅射环装置的使用寿命长。
磁控溅射装置反应器

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[发明专利]一种磁控溅射设备-CN201410184891.0在审
发明人：宋太伟;高伟波 -专利权人：上海建冶环保科技股份有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射设备，包括磁控溅射室，其左、右侧壁设置一个进气口和抽气口；溅射靶、靶材，位于磁控溅射室内下部；磁铁，位于磁控溅射室内溅射靶底部；可移动基板台，位于磁控溅射室内上部，在其与溅射靶的相对面上设置有基片；保护罩，位于磁控溅射室内，放置在靶材和可移动基板台之间；高频电源，位于磁控溅射室外，其正负极分别与基板台和溅射靶连接；通电线圈，垂直放置在基板台和溅射靶之间，用于产生变化的磁场。本发明的实施可以增加了电子与沉积粒子的碰撞机率，达到控制粒子大小和沉积速度的目的，实现纳米级薄膜的磁控溅射沉积。
一种磁控溅射设备

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